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半導(dǎo)體封裝材料測(cè)試系統(tǒng)

TSDC測(cè)試系統(tǒng) 高低溫絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng) 真空探針臺(tái)

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半導(dǎo)體封裝材料高低溫絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)

更新時(shí)間：2024-12-17

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半導(dǎo)體封裝材料高低溫絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)華測(cè)儀器通過多年研究開發(fā)了一種可實(shí)現(xiàn)高的精度溫控，高屏蔽干擾信號(hào)的循環(huán)熱風(fēng)加熱方式，在高速加熱及高速冷卻時(shí)，具有均勻的溫度分布。可實(shí)現(xiàn)寬域均熱區(qū)，高速加熱、高速冷卻，加熱箱體整體密封，無氣氛污染。
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HC-TSC功率器件有機(jī)材料環(huán)氧樹脂TSDC測(cè)試系統(tǒng)

更新時(shí)間：2024-12-23

型號(hào)：HC-TSC

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功率器件有機(jī)材料環(huán)氧樹脂TSDC測(cè)試系統(tǒng)熱刺激去極化電流（TSDC）技術(shù)用于預(yù)測(cè)EMC的HTRB性能。TSDC方法包括極化過程，在該過程中，電介質(zhì)樣品暴露在高電場(chǎng)強(qiáng)度和高溫環(huán)境下。在這種情況下，電荷被分離并在介電材料電子元件中移動(dòng)。
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HC-TSC半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC測(cè)試系統(tǒng)

更新時(shí)間：2024-12-23

型號(hào)：HC-TSC

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半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC測(cè)試系統(tǒng)熱刺激去極化電流（TSDC）技術(shù)用于預(yù)測(cè)EMC的HTRB性能。TSDC方法包括極化過程，在該過程中，電介質(zhì)樣品暴露在高電場(chǎng)強(qiáng)度和高溫環(huán)境下。在這種情況下，電荷被分離并在介電材料電子元件中移動(dòng)。
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SIR-450半導(dǎo)體封裝材料高低溫絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)

更新時(shí)間：2024-12-23

型號(hào)：SIR-450

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半導(dǎo)體封裝材料高低溫絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)高低溫環(huán)境下的絕緣電阻測(cè)試技術(shù)用于預(yù)測(cè)EMC的HTRB性能。電介質(zhì)樣品暴露在高電場(chǎng)強(qiáng)度和高溫環(huán)境下。在這種情況下，高分子聚合物材料在高溫環(huán)境下具有負(fù)阻性的特征，電阻（率）隨著溫度的上升而下降，HTRB性能之間的相關(guān)性表明，隨著溫度的上升電阻率越下降嚴(yán)重，而HTRB性能越差，因此，材料的電阻率是HTRB失效測(cè)量的一個(gè)關(guān)鍵測(cè)量手段。
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HC-TSC半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC熱刺激測(cè)試系統(tǒng)

更新時(shí)間：2024-12-23

型號(hào)：HC-TSC

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半導(dǎo)體封裝材料高壓TSDC熱刺激測(cè)試系統(tǒng)熱刺激去極化電流（TSDC）技術(shù)用于預(yù)測(cè)EMC的HTRB性能。TSDC方法包括極化過程，在該過程中，電介質(zhì)樣品暴露在高電場(chǎng)強(qiáng)度和高溫環(huán)境下。在這種情況下，電荷被分離并在介電材料電子元件中移動(dòng)。
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半導(dǎo)體封裝材料真空探針臺(tái)

更新時(shí)間：2024-12-12

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半導(dǎo)體封裝材料真空探針臺(tái)是一種能夠在高真空環(huán)境下進(jìn)行精確測(cè)量和實(shí)驗(yàn)的設(shè)備。其基本原理是利用真空環(huán)境下的物理現(xiàn)象和特性，對(duì)樣品進(jìn)行各種實(shí)驗(yàn)和測(cè)量。在高真空環(huán)境中，氣體分子很少，這有助于減少空氣阻力、空氣振動(dòng)和其他干擾因素，從而獲得較為準(zhǔn)確和可靠的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。
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半導(dǎo)體封裝材料高溫絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)

更新時(shí)間：2024-12-16

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半導(dǎo)體封裝材料高溫絕緣電阻測(cè)試系統(tǒng)運(yùn)用三電極法設(shè)計(jì)原理測(cè)量。利用新穎的電阻測(cè)試系統(tǒng)，重復(fù)性與穩(wěn)定性更好，提升了夾具的抗干擾能力，同時(shí)大大提高精確度,可應(yīng)用于產(chǎn)品檢測(cè)以及新材料電學(xué)性能研究等用途。
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HC-TSC2000半導(dǎo)體封裝材料TSDC測(cè)試系統(tǒng)

更新時(shí)間：2024-12-06

型號(hào)：HC-TSC2000

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半導(dǎo)體封裝材料TSDC測(cè)試系統(tǒng)因?yàn)闊岽碳る娏髋c材料的這些參數(shù)（如h與τ）密切相關(guān)，故它是一種研究介電材料、絕緣材料、半導(dǎo)體材料等的有效手段。tsc是指當(dāng)樣品受到電場(chǎng)極化后，去掉電場(chǎng)，熱激時(shí)，樣品從極化態(tài)轉(zhuǎn)變到平衡態(tài)的過程中，在外電路中得到的電流，稱為熱激退極化電流。
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