HC功能材料綜合測(cè)試系統(tǒng)

HC功能材料綜合測(cè)試系統(tǒng)-國(guó)產(chǎn)/定制產(chǎn)品簡(jiǎn)介

HC功能材料綜合測(cè)試系統(tǒng)-國(guó)產(chǎn)/定制可完成功能材料鐵電、壓電、熱釋電、介電、絕緣電阻等電學(xué)測(cè)試，以及高、低溫環(huán)境下的電學(xué)測(cè)試。與電學(xué)檢測(cè)儀器在通訊協(xié)議、數(shù)據(jù)庫(kù)處理、軟件兼容性做了大量的接口。無(wú)論在軟件與硬件方面，使本套儀器在未來(lái)更易于擴(kuò)展。更加節(jié)省改造時(shí)間與硬件成本。

強(qiáng)大的測(cè)試功能

鐵電參數(shù)測(cè)試功能

Dynamic Hysteresis 動(dòng)態(tài)電滯回線測(cè)試頻率;

Static Hysterestic 靜態(tài)電滯回線測(cè)試；

PUND 脈沖測(cè)試；

Fatigue 疲勞測(cè)試；

Retention保持力；

Imprint印跡；

Leakage current漏電流測(cè)試；

Thermo Measurement 變溫測(cè)試功能

壓電參數(shù)測(cè)試功能

可進(jìn)行壓電陶瓷的準(zhǔn)靜態(tài)d33等參數(shù)測(cè)試，也可通過(guò)高壓放大器與位移傳感器（如激光干涉儀）動(dòng)態(tài)法測(cè)量壓電系數(shù)測(cè)量。

熱釋電測(cè)試功能

主要用于薄膜及塊體材料變溫的熱釋電性能測(cè)試。采用電流法進(jìn)行測(cè)量材料的熱釋電電流、熱釋電系數(shù)、剩余極化強(qiáng)度對(duì)溫度和時(shí)間的曲線。

薄膜材料變溫范圍：-196℃到+600℃；

塊體材料變溫范圍：室溫到200℃、室溫到600℃、室溫到800℃

介電溫譜測(cè)試功能

用于分析寬頻、高低溫環(huán)境條件下功能材料的阻抗Z、電抗X、導(dǎo)納Y、電導(dǎo)G、電納B、電感L、介電損耗D、品質(zhì)因數(shù)Q等物理量，同時(shí)還可以分析被測(cè)樣品隨溫度、頻率、時(shí)間、偏壓變化的曲線。也可進(jìn)行壓電陶瓷的居里溫度測(cè)試。

熱激發(fā)極化電流測(cè)試儀 TSDC

用于研究材功材料性能的一些關(guān)鍵因素，諸如分子弛豫、相轉(zhuǎn)變、玻璃化溫度等等，通過(guò)TSDC技術(shù)也可以比較直觀的研究材料的弛豫時(shí)間、活化能等相關(guān)的介電特性。

絕緣電阻測(cè)試功能

高精zhun度的電壓輸出與電流測(cè)量，保障測(cè)試的品質(zhì)，適用于功能材料在高溫環(huán)境材料的數(shù)據(jù)的檢測(cè)。例如：陶瓷材料、硅橡膠測(cè)試、PCB、云母、四氟材料電阻測(cè)試、也可做為科研院所新材料的高溫絕緣電阻的性能測(cè)試。

高溫四探針測(cè)試功能

符合功能材料導(dǎo)體、半導(dǎo)體材料與其它新材料在高溫環(huán)境下測(cè)試多樣化的需求。雙電測(cè)數(shù)字式四探針測(cè)試儀是運(yùn)用直線或方形四探針雙位測(cè)量。該儀器設(shè)計(jì)符合單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó)A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)。也可應(yīng)用于產(chǎn)品檢測(cè)以及新材料電學(xué)性能研究等用途。

塞貝克系數(shù)/電阻測(cè)量系統(tǒng)

適用于半導(dǎo)體，陶瓷材料，金屬材料等多種材料的多種熱電性能分析；可根據(jù)用戶需求配置薄膜測(cè)量選件，低溫選件溫度范圍-100℃到200℃，高阻選件高至10MΩ。

電卡效應(yīng)測(cè)試功能

還可以用于測(cè)試材料在寬溫度范圍內(nèi)的電卡性能。

溫度范圍：-50℃到200℃、熱流時(shí)間范圍：1s-1000s，

zui大電壓可達(dá)10kV，

波形：用戶自定、脈沖、三角波、正弦波、任意波形、預(yù)定義波形。

華測(cè)國(guó)產(chǎn)功能材料綜合測(cè)試系統(tǒng)鐵電儀定制

華測(cè)國(guó)產(chǎn)功能材料綜合測(cè)試系統(tǒng)鐵電儀定制

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